Литограф для производства современных чипов в России можно создать за 2-3 года. Так считает бывший президент РАН

Тесное сотрудничество российских коллективов за два-три года позволит создать рентгеновский литограф для производства современных чипов. Об этом заявил научный руководитель Национального центра физики и математики (НЦФМ) академик и бывший президент РАН Александр Сергеев.

Сборка литографа ASML

Он отметил отставание России в микроэлектронике и отсутствие в стране рентгеновских литографов, позволяющих производить чипы с нанометровым топологическим размером. Тем не менее, Сергее считает, что «в рамках НЦФМ коллаборация, которую мы хотим предложить, может разработать в течение двух-трех лет такой литограф».

Мировым лидером в этой сфере является компания ASML. В ее устройствах лазер испаряет олово, рентгеновское излучение получившейся плазмы используется для фотолитографии. «Только эта компания производит соответствующие рентгеновские литографы, мы предлагаем с помощью наших технологий разработать альтернативу, мы будем использовать для фокусировки этого излучения рентгеновские зеркала, которые разработаны в институте прикладной физики РАН и в Федеральном ядерном центре в Сарове, а также разработки института им. Седакова. Если соединить эти три разработки, то мы получим литографическую систему с мощностью, которая в разы превосходит те, что делает ASML», – заявил академик Сергеев.

НЦФМ создан по поручению Владимира Путина в городе Сарове Нижегородской области. Центр будет основан на экспериментальной и расчётной базе Российского федерального ядерного центра — ВНИИЭФ, а также комплексе из научно-исследовательских корпусов, передовых лабораторий и установок класса «миди-саейнс» и «мега-саейнс» самого НЦФМ. Научную кооперация НЦФМ составили более 60 научных организаций и наукоемких компаний. Учредителями проекта выступили Госкорпорация «Росатом», Российская академия наук, Министерство науки и высшего образования РФ, МГУ имени М.В. Ломоносова и НИЦ «Курчатовский институт».

Источник

Похожие статьи

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Закрыть